寒武纪思元590大规模量产：Chiplet技术支撑大模型

寒武纪7nm芯片思元590量产，算力128TOPS，通过Chiplet技术多芯协同，支撑智能驾驶与智慧城市AI算力需求

中芯国际N+3工艺量产：国产5nm制程突破封锁

2025年12月，中芯国际基于DUV+SAQP技术的N+3工艺（等效5nm）量产，晶体管密度提升25%，功耗降30%，成本仅EUV方案1/5，为AI、HPC等提供自主制造基础

小米玄戒O1发布：首款国产3nm手机SoC问世

5月，小米发布自研3nm SoC玄戒O1，CPU能效提40%、GPU算力增50%，首发小米15S Pro，标志国产设计能力比肩国际，年底出货破千万片

华为麒麟9020回归：7nm工艺性能跃升

9月，华为麒麟9020（中芯7nm工艺）搭载Mate 70系列上市，整机性能提36%，验证中芯成熟制程稳定性，推动国产高端手机份额回升

长江存储反向授权三星：Xtacking技术全球领跑

长江存储向三星授权3D NAND核心Xtacking技术，打破国际壁垒；10月三期产线全用国产设备，全球份额破10%，领跑存储自主化

芯德半导体首创2.5D封装：国产方案破解集成瓶颈

江苏芯德推出全球首个2.5D封装方案，密度提400%、延迟降60%、功耗降35%，为AI加速卡等高端芯片提供国产集成解决方案

华为昇腾910B量产：3nm AI训练芯片对标国际

华为昇腾910B采用3nm工艺量产，算力256TOPS，支持百亿参数大模型训练，应用于自动驾驶与智能计算中心，成国产AI芯片标杆

中微5nm刻蚀机入台积电：设备国产化里程碑

中微5nm刻蚀机通过台积电验证，采用原子层刻蚀技术，打破ASML垄断，标志中国高端半导体设备实现关键技术突破

中芯N+2试产：7nm工艺铺路2nm研发

年底中芯N+2工艺（等效7nm）试产成功，性能较14nm提40%；2027年目标风险量产2nm，缩小与国际先进制程差距至1-2年

国产GPU集体上市：算力芯片供给加速

全年摩尔线程、沐曦等募资超280亿，国产GPU在AI训练场景渗透率达23%，部分算力达国际主流85%，缓解进口依赖